由新加坡南洋理工大学科研人员领衔的科学家团队在开发高速存储芯片的替代材料方面取得了重大进展，这些芯片能够使计算机快速访问信息，并且克服了现有材料的限制。
研究团队发现了一种非常直接的方法，解读先前存储在这些被称为反铁磁体的替代材料中难以读取的数据。这是通过确定材料配置的状态来实现的。而以往并没有可行的办法可以做到这一点。
该研究由南洋理工大学物理与数学科学学院的高炜博副教授领导，相关论文于2023年6月在科学期刊《自然》杂志上发表。
研究人员认为，反铁磁体具有引人注目的潜力成为制造计算机存储或随机读取（RAM）芯片的材料。因为相比传统的硅制芯片，它们可能具备更高的节能性。
此外，预计反铁磁性芯片比由某些磁性材料制成的芯片具有更快地存储和更改数据的性能，这对于资源密集型的计算任务非常有用。